Venturi in Hongkong erstmals mit neuer Halbleitertechnologie

Das Venturi Formel-E-Team hofft, in dieser Saison mit einer neuen Technologie den Anschluss an die Spitze schaffen zu können.

Neue halbleitende Dioden aus Siliziumcarbid (SIC) sollen den Venturi VM200-FE-02 in der 3. Saison der Formel E effizienter machen und in Hongkong scheint das Team bereits die ersten Früchte geerntet zu haben: Maro Engel wurde 9. und Stephane Sarrazin 10.

Die neuen SIC-Dioden, die vom Technologieunternehmen ROHM entwickelt wurden, haben den Venturi-Boliden 2 Kilogramm leichter gemacht als das Vorjahresauto. Außerdem haben sie die elektrische Effizienz um 1,7 Prozent erhöht, wodurch auch die Wärmeabzugsteile um 30 Prozent verkleinert werden konnten.

Das Material kann angeblich stärkeren elektrischen Feldern widerstehen als konventionelles Silizium, wodurch extrem wenig Energie verloren geht und viel höhere Temperaturen unbeschadet überstanden werden.

"Wir sind sehr stolz, unseren eigenen Antriebsstrang mit der Siliziumcarbid-Technologie von ROHM mitentwickelt zu haben, die für unsere Inverter eine großartige Lösung darstellen können", sagte Frank Baldet, der Technische Direktor von Venturi, bei der Vorstellung der neuen Technologie in Hongkong.

"In der Formel E dreht sich alles um Energieverwaltung und durch die Partnerschaft mit ROHM – dem Marktführer in Halbleitertechnologie – wird die gesamte Elektronik in unserem Auto verbessert, sodass wir mit unseren Elektromotoren höhere Leistungen erreichen können."

Bei Venturi geht man davon aus, dass die neue Technologie dem Team einen wichtigen Vorteil verschaffen werde, sobald sie voll entwickelt ist. Immerhin liegt die große Herausforderung der Formel E darin, herauszufinden, wie man die Energie der Batterie am besten auf die Straße bringt.

Im Gespräch mit Motorsport.com in Hongkong sagte Professor Burkhard Göschel, der Präsident der "FIA Electric and New Energies Championships Commission": "Das, was Venturi macht, ist genau das, worauf sich die Formel-E-Teams konzentrieren sollten. Die Elektrotechnik macht große Fortschritte, aber im Umfeld des Rennsports bekommt die Forschung und Technik zusätzlichen Schub."

Die Formel E würde für Hersteller und Teams die Möglichkeit bieten, mit "aufregenden und vorteilhaften Technologien vertraut zu werden", betonte Göschel.

Was ist SIC-Technologie?

Siliziumcarbid ist eine Verbindung aus Silizium und Karbon, mit der man Elektronikkomponenten kleiner, stärker und schneller machen kann. Es wird mithilfe eines Kristallwachstumsprozesses von Sublimierung und Aussetzen von Temperaturen um 2.000 Grad Celsius hergestellt.

ROHM, der Marktführer in SIC-Anwendungen, hat durch Einsetzen dieser Technologie einen geringeren Energieverbrauch und einen effizienteren Betrieb erreicht. Im Vergleich zum konventionellen Silizium hat SIC einige Vorteile:

Kleiner – Die Verkleinerung von Systemen bedeutet eine kleinere Größe und weniger Gewicht, was im Motorsport eine bessere Gewichtsverteilung und weniger Energieverbrauch ermöglicht.

Stärker – Elemente mit SIC können mit höheren Spannungen und Strömen arbeiten, was die Leistungsdichte erhöht und den Energieverlust verringert, sogar bei hohen Temperaturen.

Schneller – Das ultimative Ergebnis der Partnerschaft zwischen ROHM und Venturi, die beste Leistung und maximierte Wahrscheinlichkeit von Speed.

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